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International Rectifier (Infineon Technologies)
BSZ067N06LS3GATMA1 Image

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siehe Spezifikationen für Produktdetails.

BSZ067N06LS3GATMA1

Hersteller-Teilenummer: BSZ067N06LS3GATMA1
Hersteller / Marke: International Rectifier (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
Datenblätte: 1.BSZ067N06LS3GATMA1.pdf 2.BSZ067N06LS3GATMA1.pdf
RoHs Status: Lead free / RoHS Compliant
Zustand des Lagers: 2787 pcs Stock
ECAD -Modell:
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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  • ArtikelnummerBSZ067N06LS3GATMA1
  • HerstellerInternational Rectifier (Infineon Technologies)
  • BeschreibungMOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
  • KategorieDiskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel
  • Teilstatus2787 pcs Stock
  • VGS (th) (Max) @ Id2.2V @ 35µA
  • Vgs (Max)±20V
  • TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-GehäusePG-TSDSON-8
  • SerieOptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs6.7 mOhm @ 20A, 10V
  • Verlustleistung (max)2.1W (Ta), 69W (Tc)
  • VerpackungTape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse8-PowerVDFN
  • Andere NamenBSZ067N06LS3 G
    BSZ067N06LS3G
    BSZ067N06LS3GATMA1TR
    BSZ067N06LS3GINTR
    BSZ067N06LS3GINTR-ND
    BSZ067N06LS3GZT
    SP000451080
  • Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
  • BefestigungsartSurface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds5100pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs67nC @ 10V
  • Typ FETN-Channel
  • FET-Merkmal-
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)60V
  • detaillierte BeschreibungN-Channel 60V 14A (Ta), 20A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C14A (Ta), 20A (Tc)
  • BSZ067N06LS3GATMA1 Einzelheiten PDF [English]BSZ067N06LS3GATMA1 PDF - EN.pdf
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